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可以讓14nm+14nm>7nm了?華為公布芯片堆疊結構等專利!
發(fā)布時間:2023-08-10 00:19:23 文章來源:嗶哩嗶哩
天眼查顯示,近日華為技術有限公司新增多項專利信息,其中一項發(fā)明專利


(資料圖片僅供參考)

天眼查顯示,近日華為技術有限公司新增多項專利信息,其中一項發(fā)明專利名稱為“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”,公開號為CN116504752A。該專利涉及的技術領域為芯片技術領域,尤其涉及一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備,該技術將被用于簡化芯片堆疊結構制備工藝。

該專利也是再次引起了一些網(wǎng)友的討論,像是“華為可以將兩塊14nm制程芯片堆疊在一起,實現(xiàn)與7nm制程芯片相似的性能和功耗”等等,而類似的說法華為官方已經(jīng)多次證實是假消息。需要指出的是,通過芯片疊加工藝讓兩塊14nm芯片達到7nm水平說法本身就是錯誤的。芯片堆疊技術方案難題包含了熱管理、電氣互聯(lián)、封裝和測試、制造技術等等,想要完成這些并非易事。

此外,兩塊14nm制程芯片疊加在一起,還要功耗與7nm制程芯片相當,暫且說可以組合,這樣實現(xiàn)后也是通過降頻。要知道,14nm制程芯片達到7nm的性能水平就必須功耗翻倍,同時還得進一步擴大芯片面積才能塞下更多的晶體管,這顯然脫離了芯片發(fā)展規(guī)律。

再來說功耗,以手機處理器為例,7nm制程芯片功耗基本在7W左右,14nm制程芯片想要保持跟前者相當?shù)男阅埽木椭辽僖槐丁H绻麅蓧K芯片疊加,那功耗可以說是倍增了。最后,小伙伴們對于芯片堆疊還有什么想要知道的嗎?

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